profil tvrtke

Anyang Jiashike Metal Co., LTD, kao vodeći proizvođač ferolegura materijala u Kini. To je sveobuhvatno poduzeće koje integrira znanstvena istraživanja, preradu i proizvodnju te trgovinu uvozom i izvozom. Ima više od 20 godina iskustva u profesionalnom području i koristi naprednu tehnologiju i profesionalnu opremu. , proizvodi visokokvalitetne metale i legure, a opseg poslovanja uključuje metalni silicij, ferosilicij, legure silicij-kalcij, legure silicij-ugljik, prirodni grafitni prah i druge proizvode.

Prednosti tvrtke

Bogato iskustvo

Naša tvrtka ima dugogodišnje iskustvo rada u proizvodnji. Koncept suradnje orijentirane na kupca i win-win čini tvrtku zrelijom i jačom.

Napredna oprema

Oprema temeljena na najnovijim tehnološkim dostignućima ima veću učinkovitost, bolje performanse i veću pouzdanost.

Konkurentna cijena

Imamo profesionalni tim za pronalaženje izvora i tim za računovodstvo troškova, nastojimo smanjiti troškove i profit i pružiti vam dobru cijenu.

Kontrola kvalitete

Izgradili smo profesionalni QC tim za točnu inspekciju svake sirovine i svakog procesa proizvodnje.

Customized High Purity Si 2202 3303 411 551 553 Silicon Metal

Prilagođeni metalni silicij visoke čistoće 2202 3303 411 551 553

Jedna od prednosti metalnog silicija 3303 je njegova upotreba u izradi specijalnog čelika, jer može poboljšati čvrstoću, tvrdoću i duktilnost čelika. Osim toga, metalni silicij 3303 često se koristi kao dodatak aluminijskim legurama za poboljšanje njihovih mehaničkih svojstava, kao što je njihova korozija.

Legura kalcija i silicija

Silicijevo-kalcijeva legura je kompozitna legura sastavljena od silicija, kalcija i željeza, koja je idealan složeni deoksidizator i desumporizator. Naširoko se koristi u proizvodnji čelika s niskim udjelom ugljika, nehrđajućeg čelika i drugih vrsta čelika te specijalnih legura poput legura na bazi nikla i legura na bazi titana. Pogodan je za korištenje kao sredstvo za zagrijavanje u konverterskoj radionici za proizvodnju čelika. Također se može koristiti kao inokulant lijevanog željeza i aditiv u proizvodnji nodularnog željeza.

High Quality Ferro Silicon/ Ferrosilicon For Steelmaking/FeSi65

Visokokvalitetni ferosilicij/ferosilicij za proizvodnju čelika/FeSi65

Fero silicij ili ferosilicij je ključni element kada je u pitanju proizvodnja čelika. To je legura sastavljena od željeza, silicija i malog udjela aluminija i drugih elemenata. Visokokvalitetni fero silicij, također poznat kao FeSi65, posebno je važan u industriji proizvodnje čelika jer sadrži veći postotak silicija.

Ingot magnezija

Materijal od legure magnezijevog ingota lagan je materijal visoke čvrstoće koji se široko koristi u raznim industrijama. Materijal se sastoji od magnezija i drugih metala, poput aluminija, cinka, mangana i silicija, koji poboljšavaju njegova mehanička svojstva i otpornost na koroziju.

Metal Alloy Silicon Calcium Alloy Ferro Silicon Calcium/Fesica

Metalna legura silicij kalcij legura fero silicij kalcij/fesica

CaSi legura je složena legura koja se sastoji od silicija, kalcija i željeza. To je idealan složeni deoksidizator i desumporizator koji se može široko koristiti u proizvodnji čelika kao što su visokokvalitetni čelik, čelik s niskim udjelom ugljika, nehrđajući čelik i posebne legure kao što su legura na bazi nikla, legura na bazi titana. Legura CaSi također se može primijeniti kao podizač topline za konvertersku proizvodnju čelika, inokulant za proizvodnju lijevanog željeza i adiktiv za proizvodnju nodularnog lijeva.

Use Of High Quality Silicon Calcium Alloy /CaSi

Korištenje visokokvalitetne silicij kalcijeve legure /CaSi

Use Of High Quality Silicon Calcium Alloy 100 Words/CaSi

Tvornička izravna prodaja visokokvalitetne silicij kalcij legure

Factory Sale Casting Iron Use Casi Powder Calcium Silicon Alloy 30/60 28/55

Tvornička prodaja Lijevano željezo Koristi Casi Powder Calcium Silicon Legura 30/60 28/55

Factory Direct Sales Of High Quality Metal Silicon/Silicon Metal441

Izravna tvornička prodaja visokokvalitetnog metalnog silicija/fero silicija441

Fero silicij 441 Fero silicij 441 je JSK-ov vrući proizvod, Fero silicij stupnja 441, sa sadržajem silicija od 99%. Sadržaj željeza, aluminija i kalcija je 0,4%, 0,4% i 0,1%.

OEM 2202 3303 411 553 Grade Metallic Si Pure Silicon Metal

Što je silicijev karbid

Silicijev karbid, izuzetno tvrd, sintetski proizveden kristalni spoj silicija i ugljika. Njegova kemijska formula je SiC. Od kraja 19. stoljeća silicijev karbid je važan materijal za brusne papire, brusne ploče i alate za rezanje. Nedavno je pronašao primjenu u vatrostalnim oblogama i grijaćim elementima za industrijske peći, u dijelovima otpornim na habanje za pumpe i raketne motore, te u poluvodičkim podlogama za diode koje emitiraju svjetlost.

Prednosti silicij karbida

Izvrsne performanse pri visokim temperaturama

Talište proizvoda od silicijevog karbida je čak 2700 stupnjeva, što može zadržati strukturnu stabilnost i čvrstoću u visokotemperaturnim okruženjima, tako da se naširoko koristi u visokotemperaturnim rastaljenim metalima, visokotemperaturnim pećima za grijanje, visokotemperaturnoj petrokemiji i druga polja.

Jaka otpornost na koroziju

Silicijev karbid ima izvrsnu otpornost na koroziju i može dugo raditi stabilno u kiselim, alkalnim i oksidativnim sredinama.

Visoka tvrdoća i visoka čvrstoća

Silicijev karbid ima veću tvrdoću i snagu od tradicionalnih keramičkih materijala, tako da ima dobru otpornost na habanje i udarce.

Izvrsna toplinska i električna vodljivost

Silicijev karbid ima visoku toplinsku vodljivost i izvrsnu električnu vodljivost, pa se naširoko koristi u proizvodnji elektroničkih komponenti i radijatora velike snage.

Koje su primjene silicij karbida

Silicijev karbid koji se koristi u vojnim oklopima otpornim na metke
Silicijev karbid se koristi za proizvodnju oklopa otpornih na metke. Svojstvo ovog spoja zbog kojeg se može primjenjivati u takve svrhe je njegova tvrdoća. Meci i drugi štetni predmeti morat će se boriti s tvrdim keramičkim blokovima koje oblikuje silicijev karbid. Meci ne mogu probiti keramičke blokove.

Silicijev karbid koji se koristi u poluvodičima
Silicijev karbid postaje poluvodič kada mu se dodaju dopanti. Dodaci kao što su bor i aluminij dodani silicij karbidu čine da on postane p-tip poluvodiča. S druge strane, dodaci kao što su dušik i fosfor dodani silicijevom karbidu čine da on postane poluvodič n-tipa. Možete pročitati ovaj post za više informacija o razlikama između poluvodiča p-tipa i poluvodiča n-tipa.

Silicijev karbid koji se koristi u abrazivima
Silicijev karbid se obično koristi kao abraziv zbog svoje tvrdoće. Koristi se u proizvodnji brusnih ploča, alata za rezanje i brusnog papira. Abrazivi od silicijevog karbida obično su jeftiniji od drugih abraziva slične kvalitete. Abrazivi se koriste za mljevenje materijala kao što su čelik, aluminij, lijevano željezo i guma.

Silicijev karbid koji se koristi u električnim vozilima
Silicijev karbid bolji je izbor od silicija za pogon električnih vozila. Električna vozila s pogonom na silicijev karbid vrlo su učinkovita i isplativa. Trenutno su mnoge poznate tvrtke koristile silicijev karbid za poboljšanje učinkovitosti i dometa pri proizvodnji električnih vozila, kao što je Tesla.

Silicijev karbid koji se koristi u nakitu
Strukturno sličan dijamantu, a ipak sjajniji, jeftiniji, izdržljiviji i lakši od dijamanta, silicijev karbid je zaslužena alternativa dijamantu u industriji nakita.

Svojstva SiC-a

Politipizam SiC-a
SiC je poznat po svom politipizmu (različitim kristalnim strukturama), koji nastaje slaganjem Si i C duž glavne osi (C-os). Slaganje AaBbCcAaBbCc generira rešetku 3C-SiC cinkove mješavine, AaBbAaBb generira 2H-SiC s wurtzitnom rešetkom, a AaBbAaCcAaBbAaC generira 4H-SiC rešetku. Različiti kristalni oblici s različitim brojem atoma po jediničnoj ćeliji utječu na fizička svojstva politipova zahvaljujući različitim elektronskim energetskim vrpcama i vibracijskim granama.

Struktura benda
Različiti kristalni oblici SiC imaju različite veličine razmaka pojasa, u rasponu od 2,4 eV (3C-SiC) do 3,35 eV (2H-SiC), što je ključno za određivanje njihovih elektroničkih i optičkih svojstava. Politipovi SiC neizravni su poluvodiči, što znači da politip s najmanjim razmakom pojasa (3C-SiC ) do onog s najvećim razmakom pojasa (2H-SiC) zahtijeva sudjelovanje fonona (kvantizirani vibracijski modovi). Iako su SiC politipovi neizravni poluvodiči, izvrsni su kandidati za energetske primjene.

Doping
Dopiranje je fizikalna metoda koja se koristi za dobivanje željenih električnih svojstava SiC-a. U ovom procesu, element, bilo akceptor (aluminij/bor/galij) ili donor (dušik/fosfor), uvodi se u fazi rasta kristala kako bi se promijenila njegova vodljivost. Budući da difuzija nije izvediva metoda za dopiranje SiC-a, za dopiranje SiC-a koristi se ionska implantacija s aktivacijom dopanta grijanjem na visokoj temperaturi. Prethodne studije izvijestile su o uspjehu dopiranja SiC-a dušikom za primjene kao što je smanjenje gubitka snage u vertikalnim strukturama energetskih uređaja i visokofrekventnim aplikacijama.

Električna svojstva
Nenamjerno dopiranje donorima dušika tijekom procesa rasta ukazuje na to da oni imaju višak elektrona tijekom procesa rasta, otkrivajući n-tip vodljivosti u SiC. Dopirani atomi dušika zamjenjuju atome ugljika na mjestima rešetke, mijenjajući ionizacijske energije zbog različitih lokalnih okruženja i specifičnog učinka interferencije. Nadalje, Hallova mjerenja pomažu u određivanju koncentracije donora dušika, pod pretpostavkom jednake distribucije među različitim mjestima rešetke.

Kemijska stabilnost
SiC prolazi laku oksidaciju i stvara film silicijevog dioksida (SiO2), koji postupno ometa proces oksidacije. Međutim, ako istovremeno postoje tvari koje mogu ukloniti ili razbiti film silicijevog dioksida, SiC se može dodatno oksidirati. SiC se ne otapa lako u kiselinama ili bazama, ali može biti lako napadnut alkalnim talinama. Primarne nečistoće pronađene u SiC uključuju C i SiO2, a količina nečistoća varira ovisno o vrsti proizvoda.

Priprema silicijevog karbida

Achesonov proces

Silicijev karbid prisutan je u mineralu moissanitu, ali je rijedak u prirodi. Sintetizira se pomoću Achesonovog procesa, nazvanog po svom izumitelju, Edwardu G. Achesonu. U ovom procesu, čisti silicij (SiO2) kvarcni pijesak i fino mljeveni naftni koks (ugljik) se kombiniraju i zagrijavaju do povišene temperature od otprilike 1700 do 2500 stupnjeva u električnoj otpornoj peći. Glavna kemijska reakcija koja rezultira stvaranjem ɑ-SiC prikazana je u nastavku.

Lely metoda

Sublimacija se koristi u Lely metodi za stvaranje skupnih kristala silicij karbida. Prah silicijevog karbida stavlja se u grafitni lončić koji je pročišćen plinom argonom i zagrijan na oko 2500 stupnjeva (4530 stupnjeva F). Silicijev karbid na vanjskim stijenkama lončića sublimira i taloži se na grafitnoj šipki prema središtu lončića, koje je na nižoj temperaturi.

Metoda kemijskog taloženja iz pare

Proizvodnja silicijeva karbida u malim razmjerima također se može dogoditi razgradnjom plinovitih ili hlapljivih molekula koje sadrže silicij i ugljik u inertnoj atmosferi. Produkti reakcije zatim talože karbid na odgovarajuću zagrijanu podlogu.

Proces proizvodnje silicijevog karbida

Priprema praha
Silicijev karbid (SiC) je spoj silicija i ugljika s kemijskom formulom SiC. Najjednostavniji proizvodni proces za proizvodnju silicijevog karbida je kombiniranje silicijevog pijeska i ugljika u Acheson grafitnoj električno otpornoj peći na visokoj temperaturi, između 1600 stupnjeva (2910 stupnjeva F) i 2500 stupnjeva (4530 stupnjeva F). Fine čestice silicija mogu se pretvoriti u silicij karbid (SiC) zagrijavanjem u višku ugljika iz organskog materijala. Silicij dioksid, koji je nusprodukt proizvodnje metalnog silicija i ferosilicijevih legura, također se može pretvoriti u SiC zagrijavanjem s grafitom na 1500 stupnjeva (2730 stupnjeva F). Materijal nastao u Achesonovoj peći razlikuje se u čistoći. "Kamenje" i zrnca silicijevog karbida pretvaraju se u fini prah drobljenjem, a zatim pročišćavaju halogenima.

Gnječenje
Fino zrnati (submikronski) prah se zatim homogeno miješa s neoksidnim pomoćnim tvarima za sinteriranje (vezivo) kako bi se formirala pasta. Mogu se koristiti različita veziva uključujući organosilikonska veziva.

Oblikovanje oblika
Dobivena pastozna smjesa može se zbijati i oblikovati ili ekstruzijom ili hladnim izostatičkim prešanjem. Ekstruzija se sastoji od tjeranja pastozne smjese kroz matricu s otvorom. Cijevi od silicij karbida proizvode se ekstruzijom. Svojstva u smjeru istiskivanja razlikuju se od svojstava u drugim smjerovima.

Računalno numeričko upravljanje (CNC) obrada
CNC obrada koristi se za obradu površine ploča ili bušenje rupa na procesnoj i servisnoj strani u cilindričnim blokovima. Zbog vrlo male mehaničke čvrstoće zelenog materijala, ovdje je potrebna posebna pažnja. Uz pomoć jedinstvenog učvršćenja, komponente se tokare, glodaju i buše prema određenim parametrima obrade.

Sinteriranje
Nakon faze oblikovanja, materijal se sinterira u inertnoj atmosferi na temperaturama do 2300 stupnjeva (4170 stupnjeva F). Tijekom procesa sinteriranja, točnije između približno 1900 stupnjeva (3450 stupnjeva F) i 2150 stupnjeva (3900 stupnjeva F), proizvodi se izostatski skupljaju za faktor od otprilike 20%. Visina bloka, promjer i promjer rupa smanjuju se za otprilike 20%. Promjer cijevi, debljina stijenke i duljina također se smanjuju.

Lapping ili brušenje
Ako je potrebno, sinterirani dijelovi od silicij-karbida mogu se zatim strojno obraditi do preciznih tolerancija korištenjem vrlo skupog niza preciznih dijamantnih brušenja ili tehnika lappinga.

Provjere kvalitete
Gotovi dijelovi od silicij-karbida prolaze kroz niz dimenzijskih provjera, ispitivanja i inspekcija (otkrivanje curenja, otkrivanje pukotina, ispitivanje tlakom, itd…). Mehanička svojstva pažljivo se provjeravaju i prate nakon svake proizvodne serije.

Mjere opreza pri skladištenju silicijevog karbida

Uredno skladištenje, isti broj serije što je više moguće u redovima, kako bi se izbjegle greške u procesu uzimanja materijala.

Silicij karbid mikro prah ima jaku apsorpciju vlage, pokušajte izbjeći uklanjanje vlage otporan na pohranu filma; ovo može izbjeći aglomeraciju vlage, skratiti vrijeme sušenja.

Što je više moguće koristiti načelo prvi ušao prvi izašao materijal, kako bi se izbjeglo zgrudvanje sirovina zbog predugog vremena skladištenja.
ako je ultra-fini prah silicij-karbida u tranzitu slomljena ambalaža, pokušajte pohraniti odvojeno kako biste izbjegli onečišćenje prašinom.

Preporuča se skladišni prostor što je više moguće zatvoren, skladištiti odvojeno, te paziti na vlagu, vjetar i kišu.

Naša tvornica

202309271538374e9c28b8cf2d4d7c94200fabe374eb08

2023092715383649e10974dd3d4489bd32b9daf379427e

2023092715383653a1c012a3ba4375b675902e3a5d17ef

20230927153836d86d51553f3e4d0081f3c93cd47a38e4

Pitanja

P: Za što se koristi silicijev karbid?

O: Elementi od silicijevog karbida danas se koriste u topljenju stakla i obojenih metala, toplinskoj obradi metala, proizvodnji float stakla, proizvodnji keramike i elektroničkih komponenti, upaljačima u žaruljama za plinske grijače, itd. Sljedeći akutni (kratki) -termin) zdravstveni učinci mogu se pojaviti odmah ili ubrzo nakon izlaganja silicij karbidu: * Silicij karbid može iritirati oči i nos u kontaktu. * Postoje ograničeni dokazi da silicijev karbid uzrokuje rak kod životinja. Može uzrokovati rak pluća.

P: Koje su primjene SiC-a u elektroničkim uređajima?

O: Silicijev karbid je poluvodič koji je savršeno prikladan za energetske aplikacije, prije svega zahvaljujući svojoj sposobnosti da izdrži visoke napone, do deset puta veće od onih koji se mogu koristiti sa silicijem. Poluvodiči temeljeni na silicijskom karbidu nude veću toplinsku vodljivost, veću pokretljivost elektrona i manje gubitke snage. SiC diode i tranzistori također mogu raditi na višim frekvencijama i temperaturama bez ugrožavanja pouzdanosti. Glavne primjene SiC uređaja, kao što su Schottky diode i FET/MOSFET tranzistori, uključuju pretvarače, pretvarače, izvore napajanja, punjače baterija i sustave upravljanja motorima.

P: Zašto SiC nadmašuje Si u energetskim aplikacijama?

O: Unatoč tome što je najrašireniji poluvodič u elektronici, silicij počinje pokazivati neka ograničenja, posebno u primjenama velike snage. Relevantan faktor u ovim primjenama je razmak između pojaseva ili energetski jaz koji nudi poluvodič. Kada je pojasni razmak visok, elektronika koju koristi može biti manja, raditi brže i pouzdanije. Također može raditi na višim temperaturama, naponima i frekvencijama od ostalih poluvodiča. Dok silicij ima propusni opseg od oko 1,12 eV, silicijev karbid ima gotovo tri puta veću vrijednost od oko 3,26 eV.

P: Zašto SiC može podnijeti tako visoke napone?

O: Uređaji za napajanje, posebno MOSFET-ovi, moraju moći podnijeti ekstremno visoke napone. Zahvaljujući dielektričnom intenzitetu proboja električnog polja oko deset puta većem od silicija, SiC može doseći vrlo visok probojni napon, od 600 V do nekoliko tisuća volti. SiC može koristiti veće koncentracije dopinga od silicija, a naneseni slojevi mogu biti vrlo tanki. Što je sloj tanji, to je njegov otpor manji. U teoriji, s obzirom na visoki napon, otpor nanesenog sloja po jedinici površine može se smanjiti na 1/300 otpora silicija.

P: Zašto SiC može nadmašiti IGBT na visokim frekvencijama?

O: U aplikacijama velike snage, IGBT-ovi i bipolarni tranzistori uglavnom su se koristili u prošlosti, s ciljem smanjenja otpora uključivanja koji se javlja pri visokim probojnim naponima. Ovi uređaji, međutim, nude značajne gubitke pri prebacivanju, što dovodi do problema s stvaranjem topline koji ograničavaju njihovu upotrebu na visokim frekvencijama. Korištenjem SiC-a moguće je izraditi uređaje, poput dioda s Schottkyjevom barijerom i MOSFET-a, koji postižu visoke napone, mali otpor uključivanja i brz rad.

P: Koje se nečistoće koriste za dopiranje materijala od silicij karbida?

O: U svom čistom obliku, silicijev karbid se ponaša kao električni izolator. S kontroliranim dodavanjem nečistoća ili dopanta, SiC se može ponašati kao poluvodič. Poluvodič tipa P može se dobiti dopiranjem aluminijem, borom ili galijem, dok nečistoće dušika i fosfora daju poluvodič tipa N. Silicijev karbid ima sposobnost provoditi elektricitet u nekim uvjetima, ali ne i u drugim, na temelju čimbenika kao što su napon ili intenzitet infracrvenog zračenja, vidljive svjetlosti i ultraljubičastih zraka. Za razliku od drugih materijala, silicijev karbid može kontrolirati P-tip i N-tip regije potrebne za izradu uređaja u širokim rasponima. Iz tih razloga, SiC je materijal prikladan za energetske uređaje i sposoban prevladati ograničenja koja nudi silicij.

P: Kako SiC poluvodiči mogu postići bolje upravljanje toplinom od silicija?

O: Još jedan važan parametar je toplinska vodljivost, koja je pokazatelj kako poluvodič može raspršiti toplinu koju stvara. Ako poluvodič nije u stanju učinkovito odvoditi toplinu, uvodi se ograničenje maksimalnog radnog napona i temperature koje uređaj može podnijeti. Ovo je još jedno područje u kojem je silicij karbid bolji od silicija: toplinska vodljivost silicij karbida je 1490 W/mK, u usporedbi sa 150 W/mK koju nudi silicij.

P: Kako je SiC vrijeme povratnog oporavka u usporedbi sa Si-MOSFET-om?

O: SiC MOSFET-ovi, kao i njihovi silicijski parnjaci, imaju diodu unutarnjeg tijela. Jedno od glavnih ograničenja koje nudi tjelesna dioda je neželjeno ponašanje povratnog oporavka, koje se događa kada se dioda isključi dok nosi pozitivnu struju prema naprijed. Obrnuto vrijeme oporavka (trr) tako postaje važan indeks za definiranje karakteristika MOSFET-a. Slika 2 prikazuje usporedbu trr MOSFET-a na bazi Si-ja od 1000 V i MOSFET-a na bazi SiC-a. Kao što se može vidjeti, tijelo diode SiC MOSFET-a je izuzetno brzo: vrijednosti trr i Irr su toliko male da su zanemarive, a gubitak energije Err je znatno smanjen.

P: Zašto je meko isključivanje važno za zaštitu od kratkog spoja?

O: Drugi važan parametar za SiC MOSFET je vrijeme otpornosti na kratki spoj (SCWT). Budući da SiC MOSFET-ovi zauzimaju vrlo malu površinu čipa i imaju visoku gustoću struje, njihova sposobnost da izdrže kratke spojeve koji mogu uzrokovati toplinske prekide obično je manja nego kod uređaja temeljenih na siliciju. U slučaju, na primjer, MOSFET-a od 1,2 kV s kućištem TO247, vrijeme otpornosti na kratki spoj na Vdd=700V i Vgs=18V je oko 8-10 μs. Kako se Vgs smanjuje, struja zasićenja se smanjuje, a vrijeme otpornosti se povećava. Kako se Vdd smanjuje, stvara se manje topline i vrijeme otpornosti je dulje. Budući da je vrijeme potrebno za isključivanje SiC MOSFET-a izuzetno kratko, kada je brzina isključenja Vgs visoka, visoki dI/dt može uzrokovati ozbiljne skokove napona. Stoga bi se trebalo koristiti lagano isključivanje za postupno snižavanje napona vrata, izbjegavajući vrhove prenapona.

P: Zašto je pokretač izoliranih vrata bolji izbor?

O: Mnogi elektronički uređaji su i niskonaponski i visokonaponski krugovi, međusobno povezani za obavljanje funkcija upravljanja i napajanja. Pogonski pretvarač, na primjer, obično uključuje niskonaponsku primarnu stranu (strujni, komunikacijski i upravljački krugovi) i sekundarnu stranu (visokonaponski krugovi, motor, stupanj napajanja i pomoćni krugovi). Regulator koji se nalazi na primarnoj strani obično koristi povratne signale s visokonaponske strane i osjetljiv je na moguće oštećenje ako nema izolacijske barijere. Izolacijska barijera električno izolira krugove od primarne do sekundarne strane tvoreći odvojene reference uzemljenja, implementirajući takozvanu galvansku izolaciju. To sprječava prijenos neželjenih AC ili DC signala s jedne strane na drugu, što može dovesti do oštećenja komponenti napajanja.

P: Koje su ključne namjene silicijevog karbida?

O: Silicijev karbid je vrlo popularan abraziv u modernom lapidariju zahvaljujući svojoj izdržljivosti i relativno niskoj cijeni materijala. Stoga je ključan za umjetničku industriju. U proizvodnoj industriji ovaj se spoj koristi zbog svoje tvrdoće u nekoliko abrazivnih procesa strojne obrade kao što su honanje, brušenje, rezanje vodenim mlazom i pjeskarenje.

P: Komentar o tvrdoći silicijevog karbida?

O: Silicijev karbid ima sposobnost formiranja iznimno tvrde keramičke tvari što ga čini korisnim za primjenu u automobilskim kočnicama i spojkama, kao i u pancirnim prslucima. Osim što zadržava svoju čvrstoću do 1400 stupnjeva, ova keramika pokazuje najveću otpornost na koroziju među svim naprednim keramikama.

P: Je li silicijev karbid topiv u vodi?

O: Silicijev karbid je netopljiv u vodi. Međutim, topiv je u rastaljenim alkalijama (kao što su NaOH i KOH), a također i u rastaljenom željezu. Silicijev karbid se može smatrati organosilikonskim spojem.

P: Zašto je silicijev karbid tako skup?

O: Cijena jednog čipa od silicijevog karbida (SiC) može varirati ovisno o nekoliko čimbenika, uključujući specifičnu primjenu, veličinu, složenost i proces proizvodnje. Općenito, SiC čipovi imaju tendenciju da budu skuplji od tradicionalnih silikonskih čipova zbog uključenih naprednih materijala i tehnika proizvodnje.

P: Za što je najbolji silicijev karbid?

O: Budući da se njegovo zrno lako lomi i održava oštro djelovanje rezanja, abrazivi od silicij-karbida općenito se koriste za brušenje tvrdih materijala niske vlačne čvrstoće kao što su ohlađeno željezo, mramor i granit te materijala koji zahtijevaju oštro djelovanje rezanja kao što su vlakna, guma kože ili bakra. Lomljivo: Proizvodi od silicij karbida su krhki i nisu prikladni za neka okruženja s velikim česticama i lakim trošenjem. 4. Loša obradivost: obradivost proizvoda od silicij-karbida je loša, a obrada je teška, pa je teško proizvesti proizvode od silicij-karbida složenih oblika

P: Je li silicijev karbid otporan na metke?

O: Keramički materijali, kao što je silicijev karbid (SiC), smatraju se idealnim za zaustavljanje puščanih metaka zbog svoje impresivne snage i otpornosti. SiC se može kombinirati s materijalima za podlogu i umetnuti u zaštitne prsluke kako bi se osigurala vitalna zaštita tijela od bilo kakvih projektila velike brzine. Silicijev karbid se u prirodi pojavljuje kao iznimno rijedak mineral poznat kao moissanite, koji je prvi put pronađen 1893. u meteoru Diablo u kanjonu Arizone krater.

P: Topi li se silicijev karbid u vodi?

O: Silicijev karbid je netopljiv u vodi. Međutim, topiv je u rastaljenim alkalijama (kao što su NaOH i KOH), a također i u rastaljenom željezu. U srpnju 2022. MIT News objavio je da bi kubični borov arsenid mogao biti moguća alternativa siliciju. Kubični borov arsenid ima bolje rezultate od silicija u provođenju topline i elektriciteta.

P: Je li silicijev karbid jači od dijamanta?

O: Silicijev karbid je tvrd s Mohsovom tvrdoćom od 9,5, što je odmah iza najtvrđeg dijamanta na svijetu. Osim toga, silicijev karbid ima izvrsnu toplinsku vodljivost. To je vrsta poluvodiča i može se oduprijeti oksidaciji na visokoj temperaturi. Silicijev karbid (SiC), poznat i kao karborundum, spoj je silicija i ugljika kemijske formule SiC.

P: Koji je bolji silicijev karbid ili volfram karbid?

O: Silicijev karbid u obliku praha značajno povećava tlačnu i vlačnu čvrstoću [19]. Volframov karbid (WC) je koristan jer je materijal za zaštitu od zračenja. WC u obliku nano praha pruža veću zaštitu od zračenja i bolju tlačnu čvrstoću. Tesla je najavio novi pogonski sklop za buduće vozilo koje ima 75% manje komponenti od silicij karbida. Proizvođači čipova koji se bave silicijevim karbidom nisu bili svjesni te vijesti, iako ključni igrač u industriji Aehr Test Systems ne vidi da će Teslina najava imati veliki utjecaj na buduću potražnju.

P: Može li silicijev karbid rezati staklo?

O: Kotači od silicij karbida korisni su za rezanje stakla, kvarca, keramike, titana, volframa, cirkonija, urana, berilija i germanija, vlakana, plastike (kao što su fenoli) i plastike ojačane vlaknima. Ključne opasnosti su kontakt kože s vjerojatnim karcinogen ili udisanje kristalnog silicijevog dioksida koji bi mogao oštetiti vaša pluća. Neke države u SAD-u, NJ je jedan primjer, navode silicijev karbid kao opasnu tvar.

Popularni tagovi: silicijev karbid, Kina proizvođači, dobavljači, tvornica silicij karbida, Magnezij ingot